皇冠体育app

?
文章列表
联系我们 产品咨询

联系人:吴海丽
电话:0755-2349 0212
手机:157-1205-5037
邮箱:tel-sherry@foxmail.com
地址:广东省深圳市龙华新区民治街道向南四区松花大厦
联系我们快恢复二极管报价选型

??>>您当前位置:海飞乐技术有限公司 > 技术支持 >

bet皇冠体育网站碳化硅bet皇冠体育T系列选型

作者:海飞乐技术 时间:2019-08-09 17:20

  SiC材料与目前应该广泛的Si材料相比,较高的热导率决定了其高电流密度的特性,较高的禁带宽度又决定了SiC器件的高击穿场强和高工作温度。其具有禁带宽度大、击穿电场强度高、热导率高、电子饱和速率高等特点,更适合制作高温、高频、抗辐射及大功率器件。
 
  海飞乐技术SiC bet皇冠体育T在开发与应用方面,实现了传统型半导体(Si)实现不了的低损耗,包括提高效率、提升功率密度、降低冷却要求以及降低系统级成本。尤其在高压工作环境下,依然体现优异的电气特性,其高温工作特性,大大提高了高温稳定性,也大幅度提高电气设备的整体效率。
 
  产品可广泛应用于太阳能逆变器、车载电源、新能源汽车电机控制器、UPS、充电桩、功率电源等领域。

bet皇冠体育网站碳化硅bet皇冠体育T低导通电阻 
 
bet皇冠体育网站碳化硅bet皇冠体育T系列选型
bet皇冠体育网站碳化硅bet皇冠体育T芯片bet皇冠体育网站碳化硅bet皇冠体育T封装 
bet皇冠体育网站碳化硅bet皇冠体育T系列选型 
 
 




上一篇:RHRG75120现货报价_参数_替换资料
下一篇:650V/bet皇冠体育网站碳化硅肖特基二极管选型

皇冠体育app